IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
By GEDABUZ - Selasa, 21 Agustus 2012
Gambar 10.18 : Struktur Fisik dan Kemasan IGBT
IGBT memiliki kesamaan dengan Transistor bipolar, perbedaannya pada Transistor bipolar arus basis IB yang diatur. Sedangkan pada IGBT yang diatur adalah tegangan gate ke emitor UGE. Dari gambar-10.19 karakteristik IGBT, pada tegangan UCE = 20 V dan tegangan gate diatur dari minimum 8 V, 9 V dan maksimal 16 V, arus Collector IC dari 2 A sampai 24 A.
Gambar 10.19 : Karakteristik Output IGBT
Follow our blog on Twitter, become a fan on Facebook. Stay updated via RSS
0 komentar for "IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)"